文献

J-GLOBAL ID：201202269044076973   整理番号：12A0834561

イオン注入によるSiO₂中でのSiナノ結晶の形成:光ルミネセンスに及ぼすRTAとUV照射の効果

Si nanocrystals formation in SiO₂ by ion implantation: The effects of RTA and UV irradiation on photoluminescence

著者 (1件)： IWAYAMA T.s. (Dep. of Physics, Aichi Univ. of Education, Igaya-cho, Kariya-shi, Aichi 448-8542, JPN)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 10  ページ： 1634-1637  発行年： 2012年04月27日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Siイオン注入は過飽和Siを含むSiO₂試料の合成に広く利用されており,それに続く高温アニーリングは埋込まれた発光性Siナノ結晶の形成を誘起する。この研究では,Siナノ結晶の低温形成を達成し,光ルミネセンスを増強するためのエキシマUV光(172nm,7.2eV)照射と急速熱アニーリングの可能性を研究した。Siイオンは180keVの加速エネルギーで7.5×10¹⁶イオン/cm²までのフルエンスで導入された。注入された試料はそれに続いてエキシマUVランプで照射された。このプロセス後,試料は炉アニーリング(FA)の前に急速熱アニールされた。プロセスの様々な段階で光ルミネセンススペクトルを測定した。発光強度はエキシマUV照射とRTAによって強く増強されることを見出した。更に,エキシマUVランプとRTAで処理された試料に対してのみ900°CでのFAの後でも高効率可視光ルミネセンスが観測されることを見出した。実験データに基づいて,光ルミネセンスに関連してSiナノ結晶に及ぼすエキシマUVランプ照射とRTAプロセスの効果を考察した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *二酸化ケイ素 ,  *ケイ素 ,  *イオン注入 ,  *ナノ結晶 ,  埋込み【挿入】 ,  エキシマ ,  紫外線ランプ ,  紫外線照射 ,  *光ルミネセンス ,  可視発光スペクトル ,  RTA【熱処理】

分類 (2件)： その他の物質の放射線による構造と物性の変化  (BK16124V) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (7件)： イオン注入 ,  SiO2 ,  Si ,  ナノ結晶 ,  光ルミネセンス ,  RTA ,  UV照射