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J-GLOBAL ID：201202269054337350   整理番号：12A1081024

光ルミネセンスおよび深準位過渡分光法によって測定した銅の拡散されたn型シリコンにおける銅に関係する中心

Copper centers in copper-diffused n-type silicon measured by photoluminescence and deep-level transient spectroscopy

著者 (3件)： NAKAMURA Minoru (Coll. of Engineering, Ibaraki Univ., 12-1 Nakanarusawa-cho, 4-chome, Hitachi, Ibaraki 316-8511, JPN) ,  MURAKAMI Susumu (Hitachi Res. Lab., Hitachi, Ltd., 1-1 Omika-cho 7-chome, Hitachi, Ibaraki 319-1292, JPN) ,  UDONO Haruhiko (Coll. of Engineering, Ibaraki Univ., 12-1 Nakanarusawa-cho, 4-chome, Hitachi, Ibaraki 316-8511, JPN)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 4  ページ： 042113-042113-4  発行年： 2012年07月23日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： シリコン中の銅に関係する1.014eVに観測される銅中心からの光ルミネセンスピーク強度(Cu_PL中心)は,拡散温度に伴って連続的に変化する。それに対して,異なる温度で銅を拡散させたシリコン試料における深準位過渡分光法(DLTS)では幾つかの独立した銅に関連するピークが観測される。ピーク強度がCu_PL中心の強度と同じ拡散温度依存性を示すDLTSピークは観測されなかった。このことは,シリコンにおけるバンドギャップの上半分には電気的に活性なエネルギー準位を持つCu_PL中心は存在しないことを示唆している。観測される全てのDLTSピークは,様々な銅クラスタ,あるいは銅の小さな析出物に起因すると考えられる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *光ルミネセンス ,  深準位過渡分光法 ,  *ケイ素 ,  N型半導体 ,  *銅 ,  *不純物中心 ,  固体内拡散 ,  温度依存性 ,  エネルギー準位 ,  クラスタ ,  析出物 ,  熱処理

分類 (2件)： 半導体の格子欠陥  (BK12040Q) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光ルミネセンス ,  深準位過渡分光法 ,  銅 ,  拡散 ,  N型シリコン