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J-GLOBAL ID：201202269095470153   整理番号：12A0238090

Al₂O₃エッチングストップ技術を使用したSiC基板上にMOCVDにより成長させたマイクロ波電力性能N極性GaN MISHEMTs

Microwave Power Performance N-Polar GaN MISHEMTs Grown by MOCVD on SiC Substrates Using an Al₂O₃ Etch-Stop Technology

著者 (4件)： KOLLURI Seshadri (Univ. California, CA, USA) ,  KELLER Stacia (Univ. California, CA, USA) ,  DENBAARS Steven P. (Univ. California, CA, USA) ,  MISHRA Umesh K. (Univ. California, CA, USA)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 1  ページ： 44-46  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： AlGaN/GaN系のHEMTsはマイクロ波電力増幅用として大きな可能性がある。しかし,従来多くの研究はGa極性(0001)のデバイスについてであった。本稿では,N極性AlGaN/GaN MISHEMTsについて報告した。SiC基板上にMOCVD法により成長させた。さらに,Si_xN_yパッシベーションを持つN極性GaN HEMTsの製造プロセス改善のためAl₂O₃エッチングストップ技術を開発した。その結果,MOCVDの条件10GHzと4GHzに対して,出力電力密度がそれぞれ16.7W/mmと20.7W/mmとなった。これらは,ブレークダウン電圧が高くなったこととSiC基板の熱伝導率が高いためである。

シソーラス用語： アルミニウム化合物 ,  窒化ガリウム ,  *HEMT ,  炭化ケイ素 ,  電力増幅器 ,  FET【トランジスタ】 ,  *MOCVD ,  エッチング ,  エネルギー密度 ,  電圧 ,  酸化アルミニウム ,  MIS構造 ,  熱伝導率
準シソーラス用語： *AlGaN/GaN ,  SiC ,  ブレークダウン電圧 ,  マイクロ波FET ,  電力密度

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (8件)： Al2O3 ,  エッチングストップ ,  SiC基板 ,  MOCVD ,  成長 ,  マイクロ波電力 ,  極性 ,  GaN