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J-GLOBAL ID：201202269297410969   整理番号：12A0555286

SiO2/Si構造でのHfO2のバンドアライメント

Band alignment of HfO2 on SiO2/Si structure
著者 (10件)：
WANG Xiaolei

WANG Xiaolei について

(Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...)

Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ... について

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HAN Kai

HAN Kai について

(Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...)

Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ... について

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WANG Wenwu

WANG Wenwu について

(Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...)

Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ... について

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XIANG Jinjuan

XIANG Jinjuan について

(Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...)

Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ... について

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YANG Hong

YANG Hong について

(Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...)

Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ... について

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ZHANG Jing

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(Microelectronics Dep., North China Univ. of Technol., Beijing 100041, CHN)

Microelectronics Dep., North China Univ. of Technol., Beijing 100041, CHN について

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MA Xueli

MA Xueli について

(Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...)

Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ... について

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ZHAO Chao

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(Key Lab. of Microelectronics Devices and Integrated Technol., Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences ...)

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CHEN Dapeng

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YE Tianchun

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資料名：
Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)

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巻： 100  号： 12  ページ： 122907-122907-4  発行年： 2012年03月19日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)
抄録/ポイント：
抄録/ポイント
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X線光電子分光(XPS)によりSiO2/Si構造上の厚みが異なるHfO2の場バンドアライメントを調べた。HfO2/SiO2/Si系のバンド曲がりはHfO2厚みの増加に従い変化することが分かった。全HfO2/SiO2/Si系のバンドアライメントを界面又は表面ギャップ状態及び電荷中性レベル(CNL)の概念で実証した。XPSの結果を説明してSiO2/SiよりHfO2方が低くSiO2/SiからHfO2に電子を輸送してSiO2/Siが上向きのバンド曲がりになりCNLがSiO2/SiよりHfO2の方が低くなることに起因させた。これらは酸化物/半導体及び酸化物/酸化物界面のバンドアライメントを調べるギャップ状態理論の可能性を確認した。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語：
シソーラス用語/準シソーラス用語
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