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J-GLOBAL ID：201202269378855035   整理番号：12A1222138

エッチバック構造を持ったガリウム-インジウム-亜鉛酸化物薄膜トランジスタのドライエッチ損傷と復旧

Dry etch damage and recovery of gallium indium zinc oxide thin-film transistors with etch-back structures

著者 (2件)： PARK Jae Chul (Inst. of Physics and Applied Physics, Yonsei Univ., Seoul 120-749, KOR) ,  LEE Ho-nyeon (Dep. of Display and Electronic Information Engineering, Soonchunhyang Univ., 646, Eupnae-ri, Shinchang-myeon ...)
資料名： Displays  (Displays)
巻： 33  号： 3  ページ： 133-135  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： C0042B  ISSN： 0141-9382  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 製造過程でエッチバック(EB)構造を持ったガリウム-インジウム-亜鉛酸化物(GIZO)薄膜トランジスタ(TFT)の劣化と回復を研究した。導電表面層を形成処理するソース/ドレインドライエッチ処理によって,EB GIZO TFTを劣化させた。導電表面層を酸化するO₂灰化処理を使って,劣化したトランジスタのスイッチング性能を復旧した。更に,GIZOの裏側のウェットエッチがGIZO TFTの性能を復旧した。プラズマ処理無しで,14.5cm²V^-1s^-1の電界効果移動度と0.1V/decのサブ閾値振動を持ったEB GIZO TFTを製作した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ガリウム ,  インジウム ,  亜鉛 ,  酸化物 ,  *薄膜トランジスタ ,  ドライエッチング ,  *損傷 ,  復旧 ,  キャリア移動度
準シソーラス用語： 電界効果移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (8件)： エッチバック ,  ガリウム ,  インジウム ,  亜鉛酸化物 ,  薄膜トランジスタ ,  エッチ ,  損傷 ,  復旧