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J-GLOBAL ID：201202269613699941   整理番号：12A0924289

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

Polarization properties in InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar (1-101)GaN/Si

著者 (6件)： 久志本真希 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  谷川智之 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  本田善央 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  山口雅史 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  天野浩 (名古屋大 大学院工学研究科) ,  天野浩 (赤崎記念研究セ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 112  号： 34(SDM2012 19-42)  ページ： 15-18  発行年： 2012年05月10日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： MOVPE法により作製した加工Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上に室温発光波長435nm~590nm,井戸幅2nm~9nmのInGaN/GaN多重量子井戸構造(MQW)を作製し,偏光特性を測定した。表面からの発光の偏光特性を測定したところ,発光波長が短波長で量子井戸幅が薄い場合,発光の偏光方向はc軸と垂直であった。一方発光波長が長くなる,あるいは井戸幅が厚くなるほど,偏光が平行方向へシフトしていくことが明らかとなった。また,発光波長が短波長である試料の端面(11-22)からの発光特性を測定したところ,ナローイングが観測されるとともに,井戸幅が広くなるにつれてc軸と平行な偏光成分の増加が観測された。このことから,井戸幅とIn組成の制御により偏光の制御が可能であり,任意のLD構造設計への応用が期待される。(著者抄録)

シソーラス用語： MOCVD ,  *多重量子井戸 ,  量子井戸レーザ ,  半導体材料 ,  *偏光性 ,  発光ダイオード
準シソーラス用語： MOVPE ,  量子井戸発光ダイオード ,  InGaN

分類 (1件)： 量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (6件)： Si基板 ,  半極性 ,  GaN ,  InGaN ,  多重量子井戸 ,  偏光特性