文献

J-GLOBAL ID：201202269719093759   整理番号：12A0312177

位置を制御したガラス基板上の高性能な単結晶粒Ge TFTs

Location controlled high performance single-grain Ge TFTs on glass substrate

著者 (3件)： CHEN Tao (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628CT ...) ,  ISHIHARA Ryoichi (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628CT ...) ,  BEENAKKER Kees (Delft Inst. of Microsystems and Nanoelectronics Technol. (DIMES), Delft Univ. of Technol., Feldmannweg 17, 2628CT ...)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 69  ページ： 94-98  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 著者らは,μ-チョクラルスキー工程による高性能な単結晶粒Ge TFTsについて報告する。電子移動度は,10⁸ @V _DS =0.1Vのオン/オフ比で3337cm²/Vsである。ホール移動度は,10⁸ @V _DS =0.05Vのオン/オフ比で1719cm²/Vsである。高い移動度は,改良された界面特性と引張応力のためである。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  *ゲルマニウム ,  基板 ,  単結晶 ,  *結晶成長 ,  *Czochralski法 ,  キャリア移動度 ,  Hall移動度 ,  *LEC法 ,  ガラス基板 ,  電子移動度 ,  *単結晶成長
準シソーラス用語： *単結晶の成長 ,  高性能化

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： ガラス基板 ,  単結晶 ,  Ge