文献
J-GLOBAL ID:201202269964521758   整理番号:12A0800625

化学的ハンダづけ~導電性高分子による単分子レベルでの微細回路配線~

著者 (2件):
資料名:
巻: 12  号:ページ: 10-11  発行年: 2012年04月10日 
JST資料番号: L5969A  ISSN: 1346-3926  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
文献の概要を数百字程度の日本語でまとめたものです。
部分表示の続きは、JDreamⅢ(有料)でご覧頂けます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。
CMOS等の超微細半導体デバイスを越える微小デバイスの開発が望まれている。単分子デバイスは,そのサイズが1~数ナノメートルと究極の微小デバイスと言えるが,これまで電気的な配線方法が課題であった。本稿では,ジアセチレン化合物分子を用いた,新しい単分子化学反応制御法(化学的はんだづけと呼んでいる)について述べている。配線方法は,基板上にジアセチレン化合物の単分子膜を作成し,STMの探針に電圧パルスを加えることでジアセチレン化合物の連鎖重合反応を誘起することでポリジアセチレンを成長させる。ポリジアセチレンの先端にはラジカルやカルベンなど反応活性の高い化学種が存在するため,機能分子とポリジアセチレンの先端が十分に近づけば両者の間で自発的な反応が起こり化学結合が生成する。すなわち分子膜上に機能分子を配置した後はSTMで一度だけパルス電圧を加えるだけで,自動的に単分子配線が完成する。
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

準シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
文献のテーマを表すキーワードです。
部分表示の続きはJDreamⅢ(有料)でご覧いただけます。
J-GLOBALでは書誌(タイトル、著者名等)登載から半年以上経過後に表示されますが、医療系文献の場合はMyJ-GLOBALでのログインが必要です。

分類 (1件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス製造技術一般 
物質索引 (1件):
物質索引
文献のテーマを表す化学物質のキーワードです
引用文献 (3件):
タイトルに関連する用語 (5件):
タイトルに関連する用語
J-GLOBALで独自に切り出した文献タイトルの用語をもとにしたキーワードです

前のページに戻る