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J-GLOBAL ID：201202270725437166   整理番号：12A0728093

GaNエピタキシャル層における帯電転位壁の移動度への効果

Effect of charged dislocation walls on mobility in GaN epitaxial layers

著者 (1件)： KRASAVIN S. E. (Joint Inst. for Nuclear Res., 141980, Dubna, Moscow oblast, RUS)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 5  ページ： 598-601  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 転位が繋がりあたかも壁のような構造を作ることが知られている,GaNベース膜中の自由キャリア密度の関数としての移動度崩壊の解釈のための,Read円筒に関する旧来の考え方に基づく通常の表現の視点に立つ理論モデルを示唆する。フォノンと不純物散乱機構に併せて,壁に埋め込まれた帯電転位による電子散乱をモデルにおいて考慮した。自由キャリア密度に依存するドリフト障壁高さに関する表式を得た。この式に基づき移動度の極小の位置の転位構造への依存性を解釈した。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *転位網 ,  *帯電 ,  *窒化ガリウム ,  *キャリア密度 ,  *移動度 ,  電子散乱 ,  *拡散障壁 ,  化合物半導体 ,  層 ,  モデル ,  高さ
準シソーラス用語： 転位の網目構造 ,  エピタキシャル層 ,  障壁高さ

分類 (2件)： 半導体結晶の電気伝導  (BM03043X) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  エピタキシャル層 ,  帯電 ,  転位 ,  移動度