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J-GLOBAL ID：201202270825750287   整理番号：12A0534760

Niをコーティングしたシリコン基板上への単純な加熱法による酸化ケイ素ナノワイヤの作製

Fabrication of silicon oxide nanowires on Ni coated silicon substrate by simple heating process

著者 (3件)： PENG B. (Gyeongsang National Univ., Gyeongnam, KOR) ,  HA J.-K. (Gyeongsang National Univ., Gyeongnam, KOR) ,  CHO K.-K. (Gyeongsang National Univ., Gyeongnam, KOR)
資料名： Materials Technology  (Materials Technology)
巻： 27  号： 1  ページ： 30-33  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： E0072B  ISSN： 1066-7857  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 酸化ケイ素ナノワイヤは,その光学的,機械的及び電気的特性を利用した様々な応用の可能性を有する。SiO_xナノワイヤの作製にはレーザアブレーション,化学気相堆積法等が報告されている。本研究では,ドライ酸化したSiウエハに50nm厚さのNi膜をスパッタ堆積させた基板を,ArとH₂との混合気中で900~1150°Cの間で加熱することでSiO_xナノワイヤを作製した。評価には電界放射走査電子顕微鏡,電界放射透過電子顕微鏡,エネルギー分散型X線分光及びX線回折を用いた。その結果,直径45nmで長さ25μmの非晶質SiO_xナノワイヤの成長が観察された。さらに,最適な加熱温度と時間は,それぞれ1000°C及び30minであることを明らかにした。

シソーラス用語： ウエハ【IC】 ,  ニッケル ,  加熱 ,  *酸化ケイ素 ,  ケイ素 ,  スパッタ蒸着 ,  金属薄膜 ,  蒸着膜 ,  *ナノワイヤ ,  加熱温度 ,  酸化 ,  スパッタリング
準シソーラス用語： シリコン基板

分類 (1件)： セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ni ,  コーティング ,  シリコン基板 ,  酸化 ,  ケイ素ナノワイヤ ,  作製