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J-GLOBAL ID：201202271186469268   整理番号：12A0230465

反応性RFマグネトロンスパッタリングを用いて堆積された太陽光集光器応用のためのAlN薄膜の構造と電気特性

Structural and electrical properties of AlN films deposited using reactive RF magnetron sputtering for solar concentrator application

著者 (3件)： KALE A. (Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Trento, I-38123 Povo, TN Italy) ,  BRUSA R.s. (Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Trento, I-38123 Povo, TN Italy) ,  MIOTELLO A. (Dipartimento di Fisica, Universita degli Studi di Trento, I-38123 Povo, TN Italy)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 8  ページ： 3450-3454  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高硬度,高温安定性,良好な電気抵抗率,良好な熱伝導率を持つAlN被覆層を,Si,石英,銅などの様々な基板上にAl中間層有りまたは無しでRFマグネトロンスパッタリングによって堆積した。Al中間層(堆積時間=5~20分),Ar:N₂比(N₂%=0~75%),基板バイアス(0及び-50V)といった堆積条件を変えてAlN被覆層の性質に及ぼすそれらの効果を研究した。被覆層の表面粗さはAl中間層厚さが増すと共に0.05μmから0.15μmまで増加した。被覆層厚さはN₂ガス%の増加と共に4.4μmから3.1μmまで減少し,薄膜は(002)配向成長した。Al中間層を用いて銅上に堆積した薄膜は約10¹³Ωという優れた電気抵抗を示した。Al中間層無しに銅上に堆積した薄膜にはボイドと微小亀裂が存在し,電気的性質は劣っていた。-50Vのバイアスで堆積されたAlN薄膜は亀裂と剥離を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *集光器 ,  太陽光 ,  *窒化アルミニウム ,  *スパッタ蒸着 ,  マグネトロンスパッタリング ,  反応性スパッタリング ,  RFスパッタリング ,  セラミック被覆 ,  *電気抵抗 ,  表面粗さ ,  優先配向 ,  アルミニウム ,  *被覆層
準シソーラス用語： 中間層

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  太陽エネルギー利用機器  (QE05020H)

タイトルに関連する用語 (9件)： 反応性 ,  RFマグネトロンスパッタリング ,  堆積 ,  太陽光 ,  集光器 ,  応用 ,  AlN ,  薄膜 ,  電気特性