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J-GLOBAL ID：201202271200381450   整理番号：12A1770184

GdドープHfO₂高kゲート誘電体の電子構造に関する第一原理研究

First-Principles Study on Electronic Structure of Gd-Doped HfO₂ High k Gate Dielectrics

著者 (6件)： LIU Xiao-Jie (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  LI Ai-Dong (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  QIAN Xu (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  KONG Ji-Zhou (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  ZHOU Jian (Nanjing Univ., Nanjing, CHN) ,  WU Di (Nanjing Univ., Nanjing, CHN)
資料名： Integrated Ferroelectrics  (Integrated Ferroelectrics)
巻： 134  ページ： 3-9  発行年： 2012年 
JST資料番号： W0539A  ISSN： 1058-4587  CODEN： IFEREU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (7件)： Gd ,  ドープ ,  HfO2 ,  ゲート誘電体 ,  電子構造 ,  第一原理 ,  研究