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J-GLOBAL ID：201202271221063091   整理番号：12A1514814

高抵抗非ドープバッファ層を有するサファイア基板上に成長させたノーマリーオフGaNパワーMOSFET

Normally Off GaN Power MOSFET Grown on Sapphire Substrate With Highly Resistive Undoped Buffer Layer

著者 (3件)： LEE Jae-Hoon (Samsung LED Co. Ltd., Suwon, KOR) ,  JEONG Jae-Hyun (Samsung LED Co. Ltd., Suwon, KOR) ,  LEE Jung-Hee (Kyungpook National Univ., Daegu, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 10  ページ： 1429-1431  発行年： 2012年10月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： サファイア基板の場合,Si基板と比べてGaNの成長が容易で品質がよく,サイズも直径6inが可能となった。MOSFETのバッファ層を,非常に高いバッファ抵抗(>10¹²Ω/sq)になる核形成部位の寸法を制御するため,成長温度を変えて成長させた。製造した小領域MOSFETは閾値電圧2V,最大ドレイン電流253mA/mm,オンーオフ電流比5.5×10⁷,破壊電圧830V,ドレインソース電圧V_DS600Vにおける漏洩電流0.7A/mmのような優れたノーマリーオフデバイス特性を示した。多指パターンを有する大形MOSFETの性能は,閾値電圧0.6V,オンーオフ電流比~10⁷,破壊電圧670V,V_DS600Vにおける漏れ電流50μAであった。

シソーラス用語： 回路特性 ,  *基板 ,  バッファ層 ,  *MOSFET ,  *電力トランジスタ ,  *窒化ガリウム ,  電圧 ,  漏れ電流 ,  電流
準シソーラス用語： *サファイア基板 ,  ドレイン電流 ,  ノーマリーオフ ,  *パワーMOSFET ,  絶縁破壊電圧 ,  閾値電圧

分類 (2件)： 増幅回路  (NC05040U) ,  電気量制御  (IC03020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： ドープ ,  バッファ層 ,  サファイア基板 ,  成長 ,  ノーマリーオフ ,  GaN ,  パワーMOSFET