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J-GLOBAL ID：201202271240039126   整理番号：12A0929738

高温および高速圧縮による電子部品実装グレードのCu-W材料の成形

Fabrication of Electronic Packaging Grade Cu-W Materials by High-Temperature and High-Velocity Compaction

著者 (6件)： JIANG Guosheng (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  WANG Zhifa (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  GU Yi (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  ZHANG Qiwang (Central South Univ., Changsha, CHN) ,  GAO Yong (Torrey Hills Technol., CA, USA) ,  KUANG Ken (Torrey Hills Technol., CA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology  (IEEE Transactions on Components, Packaging, and Manufacturing Technology)
巻： 2  号： 5/6  ページ： 1039-1042  発行年： 2012年05月 
JST資料番号： W0590B  ISSN： 2156-3950  CODEN： ITCPC8  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 優れた機械特性が得られる高速圧縮(HVC)技術は,高密度化のために金属粉末の粒子サイズが非常に小さくなると困難性が増大する。本論文では,HVCの長所と高温加圧成形の長所を組み合わせた,新しい成形プロセスである高温HVC(HTHVC)を提案した。提案したプロセスにおいて,HTHVCを,W85-Cuヒートシンクに対して詳細に調べた。新プロセスにおいて採用した温度は,Wの延性-脆性遷移温度より高く,再結晶温度より低かった。HTHVCではWスケルトン密度は大きく増大し,相対密度99.5%,気密性1×10^-10Pam³/sおよび熱伝導率185W/(mK)で,機械特性はヒートシンクに対する要求を満足した。Wスケルトン内のCu分布は一様で,際立ったクラスタリングが無いことをSEMで観察した。

シソーラス用語： 圧縮 ,  銅 ,  *タングステン ,  機械的性質 ,  高速度 ,  *加圧成形 ,  高温 ,  *ヒートシンク ,  延性-脆性遷移 ,  再結晶 ,  *相対密度 ,  熱伝導率 ,  気密性 ,  走査電子顕微鏡
準シソーラス用語： 高密度 ,  電子部品実装

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： 電子部品実装 ,  グレード ,  Cu