文献

J-GLOBAL ID：201202271258387245   整理番号：12A1467152

多結晶薄膜誘電体における破壊時間の広い分布の起源

The origin of broad distribution of breakdown times in polycrystalline thin film dielectrics

著者 (7件)： MASUDUZZAMAN Muhammad (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA) ,  XIE Sujing (Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA) ,  CHUNG Jayhoon (Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA) ,  VARGHESE Dhanoop (Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA) ,  RODRIGUEZ John (Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA) ,  KRISHNAN Srikanth (Texas Instruments Inc., Dallas, Texas 75243, USA) ,  ASHRAFUL ALAM Muhammad (School of Electrical and Computer Engineering, Purdue Univ., West Lafayette, Indiana 47907, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 101  号： 15  ページ： 153511-153511-5  発行年： 2012年10月08日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 一定電圧モ-ドでストレスをかけた薄膜誘電体の破壊時間の分布は,誘電破壊のパーコレーション理論により一般的に解釈される。パーコレーションモデルは,破壊時間(平均へ規格化)の相対的分布が,より厚い誘電体に対して大きく狭くなっていくことを示唆した。この予測に明らかに反して,著者らは,比較的厚い多結晶酸化物に関しても,広い分布の破壊時間を見出した。原子間力顕微鏡及び導電性AFM測定により,これらの膜における破壊が,主に,多くのすでに存在していた欠陥で修飾されて結晶粒界に局在していることを確認した。古典的なパーコレーションモデル-空間的局在トラップのこの特殊な状況に適合する-は,厚い多結晶誘電体における破壊時間分布の広さの直観的説明を提供した。理論は,多結晶膜における可変性と信頼性との間の固有トレードオフを最適化する機会を提供した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *誘電体薄膜 ,  多結晶 ,  *絶縁破壊 ,  時間 ,  分布 ,  理論 ,  依存性 ,  酸化物 ,  原子間力顕微鏡 ,  *結晶粒界
準シソーラス用語： *電圧ストレス ,  誘電破壊 ,  *破壊時間 ,  *時間分布 ,  *パーコレーション理論 ,  *膜厚依存性 ,  導電性原子間力顕微鏡

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多結晶薄膜 ,  誘電体 ,  破壊時間 ,  分布 ,  起源