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J-GLOBAL ID：201202271294869523   整理番号：12A1681535

プラズマガス凝縮クラスタ源によって作製したSn_1-x/Si_xコア-シェルクラスタネットワークの電気抵抗と形態

Electrical Resistivity and Morphology of Sn_1-x/Si_x Core-Shell Cluster Network Prepared by a Plasma-Gas-Condensation Cluster Source

著者 (3件)： KUROKAWA Yuichiro (Dep. of Frontier Materials Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol.) ,  HIHARA Takehiko (Dep. of Frontier Materials Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol.) ,  SUMIYAMA Kenji (Dep. of Frontier Materials Graduate School of Engineering, Nagoya Inst. of Technol.)
資料名： Materials Transactions  (Materials Transactions)
巻： 53  号： 11  ページ： 1929-1932 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： G0668A  ISSN： 1345-9678  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： プラズマガス凝縮クラスタビーム堆積装置によって,Sn_1-x/Si_xクラスタアセンブル膜を作製した。透過電顕画像によると,SiシェルによってSnコアを覆っているコア-シェル形態を個々のクラスタが有している。電気抵抗の温度依存性は,0<x<0.20で金属挙動と低温での超伝導遷移を示し,x>0.29では半導体タイプの挙動と超伝導でないことを示す。これらの結果は,クラスタネットワークおよび/あるいはコア-シェル形態のSn_1-x/Si_xクラスタアセンブル膜がxとともに変化することを示唆する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金属クラスタ ,  ネットワーク ,  *スズ ,  *ケイ素 ,  構造 ,  *電気抵抗 ,  形態 ,  温度依存性 ,  超伝導 ,  半導体 ,  クラスタビーム ,  凝縮 ,  クラスタ形成 ,  堆積 ,  コアシェル構造
準シソーラス用語： プラズマガス凝縮

分類 (2件)： その他の金属組織学  (WB01040Y) ,  電気的性質  (WB02010Y)

引用文献 (24件)：

• 1) W. A. de Heer: Rev. Mod. Phys. 65 (1993) 611–676.
• 2) P. Melinon, V. Paillard, V. Dupuis, A. Perez, P. Jensen, A. Hoareau, J. P. Perez, J. Tuaillon, M. Broyer, J. L. Vialle, M. Pellarin, B. Baguenard and J. Lerme: Int. J. Mod. Phys. B 9 (1995) 339–397.
• 3) S. Yatsuya, T. Kamakura, K. Yamauchi and K. Mihama: Jpn. J. Appl. Phys. 25 (1986) L42–L44.
• 4) H. Haberland, M. Karrais, M. Mall and Y. Thurner: J. Vac. Sci. Technol. A 10 (1992) 3266–3271.
• 5) G. Hohl, T. Hihara, M. Sakurai, T. Oishi, K. Wakoh, K. Sumiyama and K. Suzuki: Jpn. J. Appl. Phys. 33 (1994) 1509–1517.

タイトルに関連する用語 (7件)： プラズマガス ,  凝縮 ,  クラスタ ,  作製 ,  コア-シェル ,  電気抵抗 ,  形態