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J-GLOBAL ID：201202271472430883   整理番号：12A0611015

積層欠陥配列を有する貴金属膜の表面状態占有率の修飾

Modification of the surface-state occupancy on noble metal films with stacking fault arrays

著者 (3件)： MISHRA Puneet (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba ...) ,  UCHIHASHI Takashi (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba ...) ,  NAKAYAMA Tomonobu (International Center for Materials Nanoarchitectonics, National Inst. for Materials Sci., 1-1 Namiki, Tsukuba ...)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 14  ページ： 141609-141609-4  発行年： 2012年04月02日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 低温走査型トンネル分光法は,周期的積層欠陥配列を含むAgテンプレート上に成長させた帯状Au膜が,Agテンプレート上の非占有一次元表面状態と対照的に,部分的に占有された一次元表面状態を示すことを明らかにした。Au帯の詳細な分光分析はFermi準位の僅か下に発現する一次元状態の存在を示したが,二次元表面状態は低エネルギーに存在した。これらの知見は磁性吸着物間の電荷及びスピン情報の一次元輸送の効果的方法を提供すると思われる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *金属薄膜 ,  銀 ,  *積層欠陥 ,  Fermi準位 ,  *表面準位 ,  占有率 ,  スペクトロスコピー ,  電子顕微鏡観察 ,  エネルギー散逸
準シソーラス用語： 金薄膜 ,  走査型トンネル分光法 ,  *表面状態

分類 (1件)： 表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (4件)： 積層欠陥 ,  金属膜 ,  占有率 ,  修飾