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J-GLOBAL ID：201202271598944483   整理番号：12A0238112

強誘電体電界効果トランジスタの電気特性に対する応力と脱分極の影響

Effects of Stress and Depolarization on Electrical Behaviors of Ferroelectric Field-Effect Transistor

著者 (6件)： CHEN Y. Q. (No. 5 Electronics Res. Inst., Guangzhou, CHN) ,  EN Y. F. (No. 5 Electronics Res. Inst., Guangzhou, CHN) ,  HUANG Y. (No. 5 Electronics Res. Inst., Guangzhou, CHN) ,  KONG X. D. (No. 5 Electronics Res. Inst., Guangzhou, CHN) ,  FANG W. X. (No. 5 Electronics Res. Inst., Guangzhou, CHN) ,  ZHENG X. J. (Key Lab. Low Dimensional Materials and Application Technol., Ministry of Education, Xiangtan, CHN)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 1  ページ： 110-112  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体電界効果トランジスタ(FeFETs)は,不揮発性メモリとして注目されている。このメモリ効果はゲート絶縁体の強誘電分極によるものである。本稿では,Landau-Khalatnikov理論とPao-Sahモデルを使って,FeFETの電流電圧特性に対する応力と脱分極の影響を調べた。出力特性電流は圧縮応力により増加するが引張応力により減少した。伝送特性曲線は圧縮応力により伸びるが引張応力により圧縮され,圧縮応力勾配で負性電圧軸の方にシフトするが,引張応力勾配では反対方向になった。脱分極により出力特性電流は明らかな影響を受け,伝送特性曲線は大きく歪んだ。これらの結果から,FeFETの信頼性を高めるために,デバイス設計においては応力と脱分極を考慮することが重要であることを示した。

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  不揮発性メモリ ,  誘電分極 ,  電流電圧特性 ,  特性 ,  圧縮応力 ,  引張応力 ,  伝送特性 ,  信頼性設計 ,  *脱分極 ,  依存性
準シソーラス用語： FeFET ,  *応力依存性 ,  *強誘電体電界効果トランジスタ ,  強誘電分極 ,  出力特性

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 強誘電体電界効果トランジスタ ,  電気特性 ,  応力 ,  脱分極