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J-GLOBAL ID：201202271679589858   整理番号：12A1738317

設計したバンドギャップ構造のための粒子支援Ga_xIn_1-xPナノワイヤ成長

Particle-assisted Ga_xIn_1-xP nanowire growth for designed bandgap structures

著者 (10件)： JACOBSSON D (Lund Univ., Lund, SWE) ,  PERSSON J M (Technical Univ. Denmark, Kongens Lyngby, DNK) ,  KRIEGNER D (Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT) ,  ETZELSTORFER T (Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT) ,  WALLENTIN J (Lund Univ., Lund, SWE) ,  WAGNER J B (Technical Univ. Denmark, Kongens Lyngby, DNK) ,  STANGL J (Johannes Kepler Univ. Linz, Linz, AUT) ,  SAMUELSON L (Lund Univ., Lund, SWE) ,  DEPPERT K (Lund Univ., Lund, SWE) ,  BORGSTROEM M T (Lund Univ., Lund, SWE)
資料名： Nanotechnology  (Nanotechnology)
巻： 23  号： 24  ページ： 245601,1-7  発行年： 2012年06月22日 
JST資料番号： W0108A  ISSN： 0957-4484  CODEN： NNOTER  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： InP基板上に80nm直径のAu粒子をエアロゾル手法によりランダムに堆積させた。次にMOVPEを用いて粒子支援のナノワイヤ成長を行わせ,Ga_xIn_1-xPナノワイヤを得た。Ga_0.2In_0.8PからGaPの組成範囲では,ナノワイヤが基板に垂直に配列していた。透過型電子顕微鏡中のX線エネルギー分散分光法から,径方向では組成が均一であるが,ナノワイヤ方向では組成変動していた。光ルミネセンスは組成から予想されたバンドギャップと相関していた。

シソーラス用語： *ナノワイヤ ,  化合物半導体 ,  *リン化物 ,  ガリウム化合物 ,  *インジウム化合物 ,  *MOCVD ,  エアロゾル ,  金 ,  基板 ,  リン化インジウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  エネルギー分散X線分光分析 ,  X線回折 ,  *光ルミネセンス
準シソーラス用語： リン化ガリウムインジウム

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S)

タイトルに関連する用語 (5件)： 設計 ,  バンドギャップ ,  支援 ,  ナノワイヤ ,  成長