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J-GLOBAL ID：201202272019914493   整理番号：12A0507761

縦型Siナノワイヤの稠密充填アレイの熱酸化

Thermal Oxidation of a Densely Packed Array of Vertical Si Nanowires

著者 (8件)： KURSTJENS R. (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  KURSTJENS R. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  VOS I. (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  DROSS F. (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  POORTMANS J. (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  POORTMANS J. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL) ,  MERTENS R. (IMEC vzw, Leuven, BEL) ,  MERTENS R. (Katholieke Universiteit Leuven, Leuven, BEL)
資料名： Journal of the Electrochemical Society  (Journal of the Electrochemical Society)
巻： 159  号： 3  ページ： H300-H306  発行年： 2012年 
JST資料番号： C0285A  ISSN： 1945-7111  CODEN： JESOAN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 縦型Siナノワイヤの稠密アレイを193nmの深UVイマ-ションリソグラフィ-および乾式エッチングで作製した。ナノワイヤはピッチ90nm,高さ500nmおよびウェハ上の位置に依存して55から25nmまで直径が変化した。825°Cから1150°Cまでの温度での酸化により,ナノワイヤの下部でくびれが起き,これにより,Siのコアを基板から完全に切り離した。酸化過程のシミュレーションから,酸化物の成長に起因して多くのストレスがナノワイヤの足元で起きることが分かった。二段階の酸化過程を開発して,ナノワイヤの足元のストレスを減少させた。この過程において,くびれが起きる前に酸化を停止し,二回目の酸化段階がSiコアを希望とする寸法に減少させる前に,成長した酸化物を除去した。その結果,非常に小さな直径のナノワイヤが得られ,これは量子サイズ効果の研究およびデバイスの製作で理想的なものであると考えられた。

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  アレイ ,  規則度 ,  浸漬 ,  紫外線照射 ,  *リソグラフィー ,  パターン形成 ,  *ドライエッチング ,  ウエハ【IC】 ,  基板 ,  直径 ,  *酸化 ,  酸化膜 ,  表面処理 ,  くびれ ,  シミュレーション ,  数値解析 ,  ストレス ,  量子サイズ効果 ,  半導体素子 ,  走査電子顕微鏡 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： デバイス ,  規則性アレイ ,  数値シミュレーション ,  漬浸 ,  *表面酸化 ,  平面アレイ

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の表面処理  (WC08070F)

タイトルに関連する用語 (5件)： 縦型 ,  Si ,  ナノワイヤ ,  アレイ ,  熱酸化