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J-GLOBAL ID：201202272445958759   整理番号：12A0430993

表面はプローブによるセシウムでシードした負イオン源の電子密度測定

Electron density measurement of cesium seeded negative ion source by surface wave probe

著者 (15件)： KISAKI M. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  TSUMORI K. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  NAKANO H. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  IKEDA K. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  OSAKABE M. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  NAGAOKA K. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  SHIBUYA M. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  SATO M. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  SEKIGUCHI H. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  KOMADA S. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  KONDO T. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  HAYASHI H. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  ASANO E. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  TAKEIRI Y. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN) ,  KANEKO O. (National Inst. for Fusion Sci., Toki 509-5292, JPN)
資料名： Review of Scientific Instruments  (Review of Scientific Instruments)
巻： 83  号： 2  ページ： 02B113  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： D0517A  ISSN： 0034-6748  CODEN： RSINAK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 大規模負イオン源の電子密度測定を表面はプローブで行った。表面はプローブとLangmuirプローブによって求められた電子密度を比較して,H^-イオン源における電子密度の測定に表面波プローブが非常に有効であることがわかった。更に,H^-イオン密度に対する電子密度の割合がバイアス電圧の上昇に伴って劇的に減少し,6V以上のバイアス電圧ではH^-イオンが主要な負の粒子になることがわかった。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 表面波 ,  *プラズマ探針 ,  *プラズマ診断 ,  *負イオン源 ,  プラズマシード ,  セシウム ,  電子密度 ,  プラズマ密度 ,  Langmuir探針 ,  水素 ,  イオン密度 ,  アニオン ,  バイアス ,  電圧
準シソーラス用語： 負イオン

分類 (2件)： プラズマ診断  (BJ02090L) ,  核融合装置  (BJ02083Z)

タイトルに関連する用語 (4件)： プローブ ,  セシウム ,  負イオン源 ,  電子密度