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J-GLOBAL ID：201202272486679767   整理番号：12A1215609

サブ解像度バナリーグレースケールマスクを用いてプログラム化したSiフォトニック用レジスト側壁プロファイル

Programmed resist sidewall profiles using sub-resolution binary gray-scale masks for Si-photonics applications

著者 (7件)： GAN Ofir (Micron Semiconductor Israel Ltd, Kiryat-Gat, ISR) ,  ALLEN Paul (Toppan Photomasks, Inc., Oregon, USA) ,  BARKAI Assia (Micron Semiconductor Israel Ltd, Kiryat-Gat, ISR) ,  BUCK Peter (Toppan Photomasks, Inc., Oregon, USA) ,  CONNOLLY Brid (Toppan Photomasks Germany, Dresden, DEU) ,  FRISH Harel (Micron Semiconductor Israel Ltd, Kiryat-Gat, ISR) ,  PINDO Massimiliano (Toppan Photomasks France, Rousset, FRA)
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 8249  ページ： 82490W.1-82490W.16  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 標準的なクロムオンガラス(COG)マスクからなるハーフトーンのグレースケールマスクを用いて,プログラム化したスロープ化レジスト側壁の製造可能性を実証した。レジストモデルをキャリブレーションするために用いる概念を記述し,ハーフトーンパターンを最適化し,レジストシミュレーションと組み合わせた自動化によってグレースケールパターンを生成した。レジストエッジスロープのSiO₂とシリコン基板へと転写に対するハーフトーングレースケールパターンの使用方法を示した。種々の側壁角度を持つ滑らかな側壁を実現し,種々の3D角度とプロファイルを同時に達成し加工できることを示した。材料CMOS大量生産プロセスを利用したグレースケールリソグラフィーによって,光応用のための45度ミラーを作製した。

シソーラス用語： *フォトマスク ,  パターン形成 ,  フォトリソグラフィー ,  グレースケール ,  クロム ,  オプトエレクトロニクス ,  *光導波路 ,  パターン転写 ,  フォトレジスト ,  側壁 ,  斜面 ,  傾斜角 ,  反射鏡
準シソーラス用語： サブ解像度補助パターン ,  シリコンフォトニクス ,  バイナリマスク

分類 (2件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H)

タイトルに関連する用語 (6件)： サブ ,  解像度 ,  Si ,  レジスト ,  側壁 ,  プロファイル