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J-GLOBAL ID：201202272529365540   整理番号：12A0121639

反転ゲート構造の薄膜トランジスタ用の酸化インジウム亜鉛のウェット及びドライエッチングの比較

Comparison of wet and dry etching of zinc indium oxide for thin film transistors with an inverted gate structure

著者 (3件)： MARRS Michael A. (Flexible Display Center at Arizona State Univ., 7700 S River Pkwy, Tempe, Arizona 85284) ,  VOGT Bryan D. (Dep. of Polymer Engineering, Univ. of Akron, Akron, Ohio 44325) ,  RAUPP Gregory B. (Dep. of Electronic Engineering, City Univ. of Hong Kong, Kowloon, Hong Kong)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 1  ページ： 011505  発行年： 2012年01月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質酸化物半導体薄膜トランジスタ(TFT)は活性層の処理に極めて敏感であるばかりでなく,それに続く層処理もその性能に影響する。この敏感性が原因となって,活性層に対する多くの表面処理と不動態化の方法が開発されているが,活性層自身のエッチングの影響はまだ広範囲には調べられていない。これらエッチステップは,そのプロセス条件が固有にプラスチックの熱安定性(<200°C),そしてプラスチック基板の高度に酸化性の化学環境との不適合性に制限されるため,フレキシブルマイクロエレクトロニクスの製造で特に重要である。ここでは,プラスチック上のフレキシブルな酸化インジウム亜鉛TFTアレイ製造の場面での新しいドライエッチプロセスを典型的なウェットエッチプロセスと比較した。ドライエッチプロセスは側壁プロファイルとエッチ選択性をうまく制御できた。ドライエッチ法を使ってこれらを改良すると,TFTのオフ電流がウェットエッチプロセスの2.65nAからドライエッチを使って0.71pAへと3桁低下し,同時に素子収率がドライエッチにより100%(120個のトランジスタに対して)へ改善された。また,サブスレショルドスロープは1.9から1.0V/decadeへ改善され,一方,飽和移動度(6.5cm¹/Vs)はエッチプロセスに影響されない。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： エッチング ,  *ドライエッチング ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  電子技術 ,  *薄膜トランジスタ ,  キャリア移動度 ,  ゲート【半導体】 ,  *ウェットエッチング
準シソーラス用語： フレキシブルエレクトロニクス ,  酸化インジウム亜鉛

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： 反転 ,  ゲート ,  薄膜トランジスタ ,  酸化インジウム亜鉛 ,  ドライエッチング