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J-GLOBAL ID：201202272854790657   整理番号：12A1016166

Si(100)上に成長させた超薄Co_1-xN_xSi₂膜の広範なRaman分光研究

Extensive Raman spectroscopic investigation of ultrathin Co_1-xNi_xSi₂ films grown on Si(100)

著者 (10件)： PIAO Yinghua (State Key Lab. of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  ZHU Zhiwei (State Key Lab. of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, China and Solid-State ...) ,  GAO Xindong (Solid-State Electronics, The Angstroem Lab., Uppsala Univ., Box 534, SE-75121 Uppsala, SWE) ,  KARABKO Aliaksandra (Dep. of Electronic Techniques and Technologies, Belarusian State Univ. of Informatics and Radioelectronics, 6 P. ...) ,  HU Cheng (State Key Lab. of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  QIU Zhijun (State Key Lab. of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN) ,  LUO Jun (Inst. of Microelectronics, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100029, CHN) ,  ZHANG Zhi-bin (Solid-State Electronics, The Angstroem Lab., Uppsala Univ., Box 534, SE-75121 Uppsala, SWE) ,  ZHANG Shi-li (State Key Lab. of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, China and Solid-State ...) ,  WU Dongping (State Key Lab. of ASIC and System, School of Microelectronics, Fudan Univ., Shanghai 200433, CHN)
資料名： Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films  (Journal of Vacuum Science & Technology. A. Vacuum, Surfaces and Films)
巻： 30  号： 4  ページ： 041511-041511-8  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： C0789B  ISSN： 0734-2101  CODEN： JVTAD6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 超薄シリサイド膜を,350°C-900°Cで1-8nm厚のCo_1-xN_x(x=0,0.25,0.5,0.75,1)から出発して作成した。各組成xに対して,それ以上でモノシリサイドCoSi及びNiSiからジシリサイド型の相へ転移する温度が膜厚の増大と共に上昇する臨界厚みが存在する。この厚みより下では,透過型電子顕微鏡法とRaman分光法の検出分解能限界内でモノシリサイドを見せずにジシリサイド相が形成されるらしい。Raman分光分析は,CoSiとNiSiは異なる結晶構造を持ち異なるにも関わらず,NiはCoSi格子中へ特定の割合まで溶解できることを示すようである。さらに,NiSi₂の無秩序性から生じたRaman散乱がCo取り込みによって増大することが分った。観測したアニーリング挙動は,金属厚の差が原因となって起こる相転移に対して自由エネルギー変化の変動から生じると説明した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ケイ素合金 ,  コバルト含有合金 ,  ニッケル含有合金 ,  ケイ素 ,  *ケイ化物 ,  コバルト化合物 ,  ニッケル化合物 ,  膜厚 ,  透過型電子顕微鏡 ,  *Raman分光法 ,  自由エネルギー ,  構造相転移 ,  RTA【熱処理】 ,  *超薄膜 ,  Ohm接触 ,  蒸着膜 ,  Ramanスペクトル ,  固体内拡散

分類 (2件)： 金属薄膜  (BK14030T) ,  金属の赤外スペクトル及びRaman散乱,Ramanスペクトル  (BM08062L)

タイトルに関連する用語 (4件)： Si ,  成長 ,  Raman分光 ,  研究