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J-GLOBAL ID：201202273178255324   整理番号：12A0832890

実スケールのシリコンナノワイヤ素子における熱輸送の原子レベルシミュレーション

Atomistic simulations of heat transport in real-scale silicon nanowire devices

著者 (2件)： DUCHEMIN Ivan (Lab. de Simulation Atomistique, SP2M, INAC, CEA, 38054 Grenoble, FRA) ,  DONADIO Davide (Max Planck Inst. for Polymer Res., Ackermannweg 10, 55128 Mainz, DEU)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 22  ページ： 223107-223107-4  発行年： 2012年05月28日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 原子レベルの格子力学と散乱理論を用いて,2つのバルクリザーバ間に挟んだ長さが10から100nmの10nm厚シリコンナノワイヤからできたナノ素子における熱輸送を調べた。素子の熱輸送は,懸垂して伸びたナノワイヤのものとは,接触界面でのフォノン散乱が原因となって著しく異なることを見いだした。熱コンダクタンスとフォノン輸送領域は,ナノワイヤの表面粗さとそれらの長さを変化させて,バリスティックから拡散へと調整できることを示した。短い結晶性ワイヤを含む素子では,フォノントンネリングが起こり,そのため,単一接触を越えて熱コンダクタンスが増大する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  散乱 ,  *コンダクタンス ,  表面粗さ ,  バリスティック輸送 ,  熱拡散 ,  トンネル効果 ,  透過率 ,  スペクトル
準シソーラス用語： フォノン散乱 ,  *熱コンダクタンス ,  透過スペクトル

分類 (1件)： 比熱・熱伝導一般  (BL05021E)

タイトルに関連する用語 (5件)： スケール ,  シリコンナノワイヤ ,  熱輸送 ,  原子 ,  シミュレーション