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J-GLOBAL ID：201202273216385024   整理番号：12A0430693

Al₂O₃/TiO₂/Al₂O₃から成る誘電体構造を含む金属-絶縁体-金属型コンデンサにおける低い漏れ電流

Low leakage current in metal-insulator-metal capacitors of structural Al₂O₃/TiO₂/Al₂O₃ dielectrics

著者 (4件)： WOO Jong-chang (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseuk-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR) ,  CHUN Yoon-soo (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseuk-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR) ,  JOO Young-hee (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseuk-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR) ,  KIM Chang-il (School of Electrical and Electronics Engineering, Chung-Ang Univ., 221 Heukseuk-Dong, Dongjak-Gu, Seoul 156-756, KOR)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 8  ページ： 081101  発行年： 2012年02月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Al₂O₃/TiO₂/Al₂O₃(ATA)から成る誘電体を含む金属-絶縁体-金属(MIM)型コンデンサを作製し,その特性を研究した。ATA(3/20/3nm)およびATA(6/20/6nm)薄膜を含むMIM型コンデンサは漏れ電流密度が低く,バイアス電圧が0V,そして周波数が100kHzおよび1MHzにおける漏れ電流密度は,それぞれ5.2×10^-13および1.5×10^-13A/cm²,そして容量密度は19.48および20.13fF/μm²であることが分かった。また,これらのMIM型コンデンサに関する周波数分散効果は非常に小さいことが分かった。MIM型コンデンサの多様な構造に関する素子の伝導機構である電気輸送機構を決定した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *MIM構造 ,  *コンデンサ ,  漏れ電流 ,  酸化アルミニウム ,  酸化チタン ,  多層 ,  誘電体薄膜 ,  周波数依存性 ,  電流電圧特性 ,  容量電圧特性 ,  膜厚 ,  分散【dispersion】
準シソーラス用語： 周波数分散 ,  電気容量

分類 (2件)： 金属-絶縁体-金属構造  (BM03087F) ,  LCR部品  (NA05030D)

タイトルに関連する用語 (6件)： Al2O3 ,  TiO2 ,  誘電体 ,  絶縁体 ,  コンデンサ ,  漏れ電流