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J-GLOBAL ID：201202273219416664   整理番号：12A1466395

eWLBパッケージのSnAgCu配線のエレクトロマイグレーション劣化機構分析

Electromigration degradation mechanism analysis of SnAgCu interconnects for eWLB package

著者 (9件)： FRANK T. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  FRANK T. (TIMA Lab., Grenoble, FRA) ,  CHAPPAZ C. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ARNAUD L. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ARNAUD L. (CEA-Leti, Grenoble, FRA) ,  FEDERSPIEL X. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  COLELLA F. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  PETITPREZ E. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ANGHEL L. (TIMA Lab., Grenoble, FRA)
資料名： Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium  (Annual Proceedings. IEEE International Reliability Physics Symposium)
巻： 2012 Vol.1  ページ： 129-134  発行年： 2012年 
JST資料番号： A0631A  ISSN： 1541-7026  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Fanout埋め込みウェハレベルボールグリッドアレイ(FO-eWLB)技術のSnAgCu配線のエレクトロマイグレーションに焦点を合わせた。第一劣化段階中の抵抗増加はCu₆Sn₅とCuの金属間化合物(IMC)界面運動により支配される。最終段階で,抵抗増加は支配する空隙を増やすことになる。第一段階中の抵抗増加の勾配はIMC反応に関連するBlackのパラメータを抽出できることが分かった。さらにBlackパラメーターの進化を監視することを可能にした。

シソーラス用語： エレクトロマイグレーション ,  *ICパッケージ ,  機構 ,  故障診断 ,  配線 ,  埋込み【挿入】 ,  金属間化合物
準シソーラス用語： Cu配線 ,  SnAgCu配線 ,  *ウエハレベルパッケージ ,  ボールグリッドアレイ ,  劣化機構

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

タイトルに関連する用語 (3件)： パッケージ ,  エレクトロマイグレーション ,  分析