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J-GLOBAL ID：201202273706644028   整理番号：12A0589323

Geイオン注入ZnOバルク単結晶の電気伝導特性

著者 (5件)： 上岡一馬 (法政大) ,  尾賀孝宏 (法政大) ,  井澤佑介 (法政大) ,  栗山一男 (法政大) ,  串田一雅 (大阪教大)
資料名： 応用物理学関係連合講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts of the Spring Meeting, Japan Society of Applied Physics and the Related Societies)
巻： 59th  ページ： ROMBUNNO.18A-F11-8  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： Y0054B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化亜鉛 ,  *ゲルマニウム ,  *イオン注入 ,  置換 ,  *光ルミネセンス ,  *電気抵抗率 ,  移動度 ,  活性化エネルギー ,  発光スペクトル
準シソーラス用語： バルク単結晶 ,  比抵抗 ,  キャリア濃度

分類 (3件)： 電子ビーム・イオンビームの応用  (BD02070X) ,  半導体のルミネセンス  (BM08092S) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (6件)： Ge ,  イオン注入 ,  ZnO ,  バルク ,  単結晶 ,  電気伝導特性