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J-GLOBAL ID：201202273707716162   整理番号：12A0508606

分子ビームエピタクシーによって(001)GaAs上に成長させたCdTeエピ層の構造品質とモルフォロジーに及ぼすZnTeバッファ層の効果

Effects of a ZnTe buffer layer on structural quality and morphology of CdTe epilayer grown on (001)GaAs by molecular beam epitaxy

著者 (8件)： ZHAO Jie (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  ZHAO Jie (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  ZENG Yiping (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  ZENG Yiping (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  LIU Chao (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  LIU Chao (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China) ,  CUI Lijie (Key Lab. of Semiconductor Materials Sci., Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083 ...) ,  CUI Lijie (Materials Sci. Center, Inst. of Semiconductors, Chinese Acad. of Sciences, Beijing 100083, People’s Republic of China)
資料名： Vacuum  (Vacuum)
巻： 86  号： 8  ページ： 1062-1066  発行年： 2012年02月29日 
JST資料番号： E0347A  ISSN： 0042-207X  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 分子ビームエピタクシー(MBE)により(001)GaAs上にZnTeバッファ層無しと有りで成長されたCdTe薄膜の構造的性質,結晶品質,表面モルフォロジーを研究した。GaAs基板上に直接作製されたCdTe薄膜は島成長モードで(111)配向を示すが,ZnTeバッファ層有りのCdTeエピ層は2次元(2D)成長モードで(001)配向単結晶薄膜である。CdTeエピ層のモルフォロジーと平均二乗根(RMS)表面粗さはZnTeバッファ層を用いることで劇的に改善される。360°Cで成長させた高温(HT)ZnTeバッファ層はCdTE構造品質を向上することにおいて低温(LT)成長のものよりもより効率的であることが示唆された。HT-ZnTeバッファ上のCdTeエピ層はより狭い(004)反射に対するニ重結晶X線ロッキングカーブ(DCXRC)の半値全幅とより小さなRMSを示す。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： ヒ化ガリウム ,  基板 ,  *テルル化カドミウム ,  化合物半導体 ,  半導体薄膜 ,  *MBE成長 ,  テルル化亜鉛 ,  バッファ層 ,  優先配向 ,  単結晶 ,  *表面粗さ ,  X線回折 ,  ロッキングカーブ ,  ヘテロエピタクシー ,  RHEED ,  顕微鏡観察
準シソーラス用語： 原子間力顕微鏡法

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (8件)： 分子ビームエピタクシー ,  GaAs ,  成長 ,  CdTe ,  エピ層 ,  モルフォロジー ,  ZnTe ,  バッファ層