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J-GLOBAL ID：201202273726709550   整理番号：12A0579357

in situ CCVD(触媒化学蒸着)によって成長したグラフェントランジスタのヒステリシス

Hysteresis of In Situ CCVD Grown Graphene Transistors

著者 (5件)： WESSELY P. J. (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  WESSELY F. (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  BIRINCI E. (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU) ,  RIEDINGER B. (Fraunhofer-Inst. Werkstoffmechanik, Freiburg, DEU) ,  SCHWALKE U. (Technische Univ. Darmstadt, Darmstadt, DEU)
資料名： Electrochemical and Solid-State Letters  (Electrochemical and Solid-State Letters)
巻： 15  号： 4  ページ： K31-K34  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1290A  ISSN： 1099-0062  CODEN： ESLEF6  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,触媒化学蒸着(CCVD)を使用して,酸化されたシリコンウエハ上にグラフェントランジスタを直接作製する新規な方法について検討した。まず,シリコンウエハを乾燥雰囲気下1000°Cで酸化してSiO₂膜を形成させ,いくつかのリソグラフィー段階を経た後で,メタンをベースとするCCVD過程によって,グラフェン層を二酸化ケイ素表面上にin situ成長させ,単層グラフェン電界効果トランジスタ(MoLGFET)および二層グラフェン電界効果トランジスタ(BiLGFET)を作製した。MoLGFETは予期された特性的Dirac点および典型的に低い16のon/off電流比を示したが,BiLGFETは1×10⁷の極めて高いon/off電流比を示すことが分かった。この新規な方法によって,ウエハ上に多数のBiLGFETが同時に作製された。

シソーラス用語： *ウエハ【IC】 ,  *二酸化ケイ素 ,  *炭素材 ,  *トランジスタ ,  *化学蒸着 ,  触媒反応 ,  乾燥 ,  雰囲気 ,  高温酸化 ,  酸化膜 ,  リソグラフィー ,  *グラファイト ,  *FET【トランジスタ】 ,  電流 ,  Ramanスペクトル ,  電子顕微鏡観察 ,  電流電圧特性 ,  *アルカン ,  *グラフェン
準シソーラス用語： *CCVD ,  Dirac点 ,  オンオフ比 ,  *グラフェントランジスタ ,  *シリコンウエハ ,  *触媒化学蒸着 ,  *単層グラフェン ,  *二層グラフェン

分類 (4件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  塩基,金属酸化物  (CD01030Z) ,  トランジスタ  (NC03070N) ,  反応速度論・触媒一般  (CB06010G)

物質索引 (1件)： メタン

タイトルに関連する用語 (5件)： CCVD ,  触媒化学蒸着 ,  成長 ,  グラフェントランジスタ ,  ヒステリシス