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J-GLOBAL ID:201202273906087921   整理番号:12A0677764

ビスアゾメチン染料のJ-凝集体薄膜に基づいた有機電界効果トランジスタ

Organic field-effect transistors based on J-aggregate thin films of a bisazomethine dye
著者 (11件):
資料名:
巻: 13  号:ページ: 999-1003  発行年: 2012年06月 
JST資料番号: W1352A  ISSN: 1566-1199  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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著者らは蒸着ビスアゾメチン染料薄膜のJ-凝集体に基づいたp-型有機電界効果トランジスタの製作とキャラクタリゼーションについて報告した。固体状態におけるこの非イオン性有機半導体の吸収スペクトルはJ-凝集体形成に対する薄膜の厚さの強い影響を示した。しかしながら,デバイスの電気特性は100nmよりも厚い薄膜においてホール輸送特性は顕著には変わらないことを示した。これはこの材料においてJ-凝集体が結晶粒子の表面に形成され,半導体/ゲート誘電体界面及びデバイスの電荷輸送特性に影響を与えない。2.4×10-4cm2V-1s-1まで高いホール電界効果移動度が得られ,溶媒蒸気処理による膜の結晶性の変化により僅かに改善された。全体として,この研究はJ-凝集体ビスアゾメチン染料薄膜が有機エレクトロニックデバイスの実現に対する良好な候補であることを示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.
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トランジスタ 
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