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J-GLOBAL ID：201202274002638509   整理番号：12A1352258

薄いInAs表面層を使ったGaSb/Al₂O₃境界面の改良

Improvement of the GaSb/Al₂O₃ interface using a thin InAs surface layer

著者 (7件)： GREENE Andrew (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA) ,  MADISETTI Shailesh (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA) ,  NAGAIAH Padmaja (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA) ,  YAKIMOV Michael (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA) ,  TOKRANOV Vadim (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA) ,  MOORE Richard (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA) ,  OKTYABRSKY Serge (Coll. of Nanoscale Sci. and Engineering, Univ. at Albany - SUNY, Albany, NY 12203, USA)
資料名： Solid-State Electronics  (Solid-State Electronics)
巻： 78  ページ： 56-61  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： H0225A  ISSN： 0038-1101  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： III-V/高k酸化物境界面で境界面トラップ状態密度(D_it)を制限するために,高度に反応の早いGaSb表面を,薄いInAs層を使って不活性化した。原子層堆積(ALD)の前に自然酸化物を効果的に減らすために,このInAs表面に多様な洗浄工程を施した。清浄な境界面とn-GaSb/InAs/高kゲートスタック用に最適な製造の中で生じる350°Cでフォーミングガスの中でアニーリングを供給するために,硫化アンモニウム前洗浄とトリメチルアルミニウム/水のALDを使用した。境界面トラップ密度(D_it≒2~3×10¹²cm^-2eV^-1)は,n-GaSbコンダクタンスバンドの近くにあって,抽出して3つの異なる手法で比較した。コンダクタンス-電圧-周波数プロットは,効果的なFermiレベル移動と200mV/decのサブ閾値スロープを示した。D_it≒6~7×10¹²cm^-2eV^-1で生じるAl₂O₃とHfO₂のALDを使って,複合材高k酸化物処理を開発した。これらのサンプルに450°Cの一層高温を施すと,酸化反応と熱的に不安定な境界面が増えた。p-GaSbは,GaSb中の高密度のバルクトラップが原因で起こるのに似た非常に速い少数キャリア生成/再結合を示した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *ヒ化インジウム ,  表層 ,  *アンチモン化ガリウム ,  *界面 ,  酸化アルミニウム ,  誘電体
準シソーラス用語： GaSb ,  InAs ,  *境界面 ,  高k誘電体 ,  表面層

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (5件)： InAs ,  表面層 ,  GaSb ,  Al2O3 ,  境界面