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J-GLOBAL ID：201202274029877360   整理番号：12A1327994

遠心法で精製した半導体II型Si包接化合物の光学的バンドギャップ

Optical band gap of semiconductive type II Si clathrate purified by centrifugation

著者 (11件)： HIMENO Roto (Gifu Univ., 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, JPN) ,  OHASHI Fumitaka (Gifu Univ., 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, JPN) ,  KUME Tetsuji (Gifu Univ., 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, JPN) ,  ASAI Erika (Gifu Univ., 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, JPN) ,  BAN Takayuki (Gifu Univ., 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, JPN) ,  SUZUKI Takatoshi (Gifu Univ., 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, JPN) ,  IIDA Tamio (Gifu National Coll. of Technol., 2236-2 Kamimakuwa, Gifu 501-0495, JPN) ,  HABUCHI Hitoe (Gifu National Coll. of Technol., 2236-2 Kamimakuwa, Gifu 501-0495, JPN) ,  TSUTSUMI Yasuo (Akashi National Coll. of Technol., 679-3 Nishioka, Hyougo 674-8501, JPN) ,  NATSUHARA Hironori (Gifu Univ., 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, JPN) ,  NONOMURA Shuichi (Gifu Univ., 1-1 Yanagido, Gifu 501-1193, JPN)
資料名： Journal of Non-Crystalline Solids  (Journal of Non-Crystalline Solids)
巻： 358  号： 17  ページ： 2138-2140  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： D0642A  ISSN： 0022-3093  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報では,光学的デバイス用の新しいSiにもとづいた材料として有望なSi包接化合物の光学的性質を研究した。低いNa含量(x=1.3,2.0)のII型Si包接化合物(Na_xSi₁₃₆)はNaSiの熱分解によって合成した。合成した試料はCH₂Br₂-C₂Cl₄の溶液を用いて遠心法で精製し,不純物を除去した。得られた高純度試料(Na_1.3Si₁₃₆,93wt.%;Na_2.0Si₁₃₆,90wt.%)を用いて,Na_xSi₁₃₆の光学吸収スペクトルを,拡散反射測定により初めて解明した。Si₁₃₆中にNaが含有されると,赤外領域にキャリア吸収がなくなるが,可視領域では基本的吸収エッジにほとんど影響がない。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *半導体 ,  *包接化合物 ,  光学的性質 ,  *バンドギャップ ,  遠心力 ,  光学素子 ,  ケイ素 ,  ケイ化物 ,  ナトリウム化合物 ,  熱分解 ,  化学合成 ,  除去 ,  不純物 ,  純度 ,  光吸収スペクトル ,  拡散反射 ,  キャリア ,  結晶構造 ,  X線回折 ,  モデル ,  可視領域 ,  高純度 ,  赤外領域 ,  不純物除去
準シソーラス用語： Kubelka-Munkモデル ,  XRD ,  シリコン ,  光学デバイス ,  光学吸収スペクトル

分類 (3件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  光学スペクトル及び光散乱一般  (BM08050S) ,  分子化合物  (CE02000C)

タイトルに関連する用語 (5件)： 精製 ,  Si ,  包接化合物 ,  光学 ,  バンドギャップ