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J-GLOBAL ID：201202274038026763   整理番号：12A1485755

180nm電力管理技術における平面デュアルゲート酸化物LDMOS構造

Planar Dual Gate Oxide LDMOS Structures in 180nm Power Management Technology

著者 (13件)： SHARMA Santosh (IBM Microelectronics, VT) ,  LETAVIE Theodore (IBM Microelectronics, VT) ,  SHI Yun (IBM Microelectronics, VT) ,  LOISEAU Alain (IBM Microelectronics, VT) ,  MONAGHAN John-Ellis (IBM Microelectronics, VT) ,  FEILCHENFELD Natalie (IBM Microelectronics, VT) ,  PHELPS Rick (IBM Microelectronics, VT) ,  LAMOTHE Christopher (IBM Microelectronics, VT) ,  COOK Don (IBM Microelectronics, VT) ,  DUNN Jim (IBM Microelectronics, VT) ,  ROERHER Georg (austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  NAUSCHNIG Helmut (austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT) ,  MINIXHOFER Rainer (austriamicrosystems AG, Unterpremstaetten, AUT)
資料名： Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs  (Proceedings. International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs)
巻： 24th  ページ： 405-408  発行年： 2012年 
JST資料番号： W1300A  ISSN： 1943-653X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 180nm電力管理技術で作製した20V定格平面デュアルゲート酸化物NLDMOSパワー素子構造を示した。この素子の性能を従来のSTIベース素子と比較した。本素子のオフ状態,オン状態,ホットキャリア信頼性の性能は従来のSTIベースアプローチよりもずっと優れていることがわかった。

シソーラス用語： *MOSFET ,  電力管理 ,  酸化膜 ,  限界 ,  ホットキャリア ,  電流電圧特性 ,  速度 ,  ドリフト ,  アイソレーション【IC】
準シソーラス用語： *LDMOS ,  ゲート酸化膜 ,  SOA ,  電子速度 ,  デュアルゲート ,  STI【アイソレーション】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： 電力管理 ,  デュアル ,  ゲート酸化物 ,  LDMOS