文献

J-GLOBAL ID：201202274068110998   整理番号：12A0421649

弁構造の伝導率スイッチングの存在のための広バンドギャップ高分子層の役割

The role of the wide-band-gap polymer layer for the existence of conductivity switching in the valve structure

著者 (3件)： LACHINOV A. N. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Molecular and Crystal Physics, Ufa Res. Center, pr. Oktyabrya 151, 450075 ...) ,  VOROB’EVA N. V. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Molecular and Crystal Physics, Ufa Res. Center, pr. Oktyabrya 151, 450075 ...) ,  LACHINOV A. A. (Russian Acad. of Sciences, Inst. of Molecular and Crystal Physics, Ufa Res. Center, pr. Oktyabrya 151, 450075 ...)
資料名： Physics of the Solid State  (Physics of the Solid State)
巻： 54  号： 2  ページ： 428-432  発行年： 2012年02月 
JST資料番号： W0823A  ISSN： 1063-7834  CODEN： PSOSED  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 弁 ,  伝導率 ,  スイッチング ,  バンドギャップ ,  高分子層 ,  役割