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J-GLOBAL ID：201202274083898771   整理番号：12A1338258

ディッシング欠陥を抑制するためのハイブリッドポリシリコンの平坦化

A hybrid polysilicon planarization for suppressing dishing defects

著者 (4件)： PARK Sungmin (Dep. of Mechanical Engineering, Univ. of Maryland, Coll. Park, MD 20742, USA) ,  YOON Sang-hee (Wyss Inst. for Biologically Inspired Engineering, Harvard Univ., Cambridge, MA 02138, USA) ,  KIM Hyoungjae (Korea Inst. of Industrial Technol., 1274 Jisa-dong, Gangseo-gu, Busan 618-230, KOR) ,  JEONG Haedo (School of Mechanical Engineering, Pusan National Univ., Jangjeon-dong, Geumjeong-gu, Busan 609-735, KOR)
資料名： Journal of Materials Processing Technology  (Journal of Materials Processing Technology)
巻： 212  号： 12  ページ： 2635-2641  発行年： 2012年12月 
JST資料番号： H0650A  ISSN： 0924-0136  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 化学機械研磨(CMP)を用いて平坦化したときに,マイクロパターン化した薄膜はいくつかの固有の問題,特にディッシング欠陥を伴う。表面の平坦性の劣化はつぎの製造工程の精度と柔軟性を制限し,そのためにマイクロ電子部品の大量生産における歩留まり損失の大部分を占める。平坦化したpoly-Si膜のCMP内のディッシング欠陥を抑制するために,保護二酸化ケイ素(SiO₂)膜と反対径方向のpoly-Si-to-SiO₂の選択性を有する2つのスラリーを用いたハイブリッドポリシリコン(poly-Si)の平坦化を開発した。不均一なpoly-Si膜上のくぼんだ領域を保護するために,30nm厚の保護SiO₂膜をパターン化したpoly-Si膜上に堆積し,SiO₂保護のpoly-Si膜を,くぼんだ領域に位置しているそれを効果的に残しながら,飛び出した領域にある保護SiO₂膜を選択的に除去するための低い材料選択性を有する第1のスラリーによって平坦化し,初めに平坦化したpoly-Si膜のディッシング欠陥の量を最小にするために,高い材料選択性を有する第2のスラリーで再度研磨した。5~90μmの異なるパターン幅を有する多様なpoly-Si層に対して,ハイブリッドpoly-Si平坦化後のディッシング量の測定値は23.1nm未満であり,ディッシング量はパターン幅に著しく鈍感であった。これは,筆者らのハイブリッドpoly-Si平坦化が,マルチレベル(または3次元(3D))のマイクロ装置の製造における各poly-Si膜の平坦性を向上させることができることを示していた。スラリーのpHや砥粒濃度などの限界スラリーパラメータのpoly-Si膜の材料除去率への依存性についても集中的に議論した。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *化学研磨 ,  *ポリシリコン ,  二酸化ケイ素 ,  保護膜 ,  スラリー ,  パターン形成 ,  MEMS ,  ハイブリッド系 ,  *加工欠陥 ,  プレーナ技術 ,  *化学機械研磨
準シソーラス用語： *CMP【化学研磨】 ,  *ディッシング ,  ミクロパターン形成 ,  化学機械的平坦化 ,  *平坦化

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (4件)： ディッシング ,  欠陥 ,  ポリシリコン ,  平坦化