長時間酸化後のSi<sub>1-x</sub>Ge<sub>x</sub>ナノワイヤの残留コアにおけるゲルマニウムの酸化

KIM Sang-Yeon; KIM Sun-Wook; KO Dae-Hong; LEE Hoo-Jeong

文献

J-GLOBAL ID：201202274090181980 整理番号：12A0965213

長時間酸化後のSi_1-xGe_xナノワイヤの残留コアにおけるゲルマニウムの酸化

Ge Oxidation in the Remaining Cores of Si_1-xGe_x Nanowires After Prolonged Oxidation

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資料名：
巻： 12 号： 4 ページ： 3650-3654 発行年： 2012年04月
JST資料番号： W1351A ISSN： 1533-4880 CODEN： JNNOAR 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：原著論文発行国：アメリカ合衆国 (USA) 言語：英語 (EN)

Si_1-xGe_xナノワイヤに対して長時間酸化処理を行うと,中心付近にGe成分が高いSi_1-yGe_y(y>x)コアが現れることを見いだした。この酸化にともなうGeの挙動を調べるために,蒸気-液体-固体成長法と熱酸化によりチューブ炉内でSiGeナノワイヤを作成し,透過型走査電子顕微鏡を用いて調べた。ナノワイヤ中のGe濃度とワイヤ径は,Ge凝縮の2つの機構が関係している。長時間の酸化により,凝縮したSiGeコアはしだいにGeのみのコアに移っていき,その後酸化されることが分かった。

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その他の非晶質の構造

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長時間酸化後のSi1-xGexナノワイヤの残留コアにおけるゲルマニウムの酸化

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