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J-GLOBAL ID：201202274213043609   整理番号：12A0430718

InN:Mg薄膜のn型表面蓄積層とp型バルクの間の結合抵抗

Coupling resistance between n-type surface accumulation layer and p-type bulk in InN:Mg thin films

著者 (4件)： HURNI Christophe A. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA) ,  CHOI Soojeong (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA) ,  BIERWAGEN Oliver (Paul-Drude-Institut fuer Festkoerperelektronik, Hausvogteiplatz 5-7, D-10117 Berlin, DEU) ,  SPECK James S. (Materials Dep., Univ. of California, Santa Barbara, 93106-5050 California, USA)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 8  ページ： 082106  発行年： 2012年02月20日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 窒化インジウムは,0.65eVの小さなバンドギャップと小さな有効電子質量のため大きな可能性を持っているが,III窒化物の中でも最も研究が少ない。InN:Mgは,最近,p型であることが確認された。しかし,InN:MgのHall測定はまだ,InN:Mgが非常に厚い時でさえn型伝導率を示す。いくつかの研究は表面電子蓄積とバルクp-InNの間の高い結合抵抗の可能性を示唆した。本研究では,この結合抵抗が小さく,伝導率とHall測定に影響しないことを垂直と伝送線路モデル測定を通して示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化インジウム ,  *マグネシウム ,  *半導体薄膜 ,  N型半導体 ,  表面 ,  蓄積層 ,  P型半導体 ,  結合 ,  バンドギャップ ,  有効質量 ,  電子 ,  *Hall効果 ,  電気伝導率 ,  伝送線路 ,  垂直

分類 (2件)： 半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： InN ,  Mg ,  薄膜 ,  蓄積層 ,  バルク