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J-GLOBAL ID：201202274342914152   整理番号：12A1337008

分極ドーピング AlGaNの傾斜層における基板のリザーバ効果

Polarization doping: Reservoir effects of the substrate in AlGaN graded layers

著者 (10件)： LI Shibin (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Univ. of ...) ,  WARE Morgan E. (Arkansas Inst. for Nanoscale Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  WU Jiang (Arkansas Inst. for Nanoscale Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  KUNETS Vasyl P. (Arkansas Inst. for Nanoscale Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  HAWKRIDGE Mike (Arkansas Inst. for Nanoscale Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  MINOR Paul (Arkansas Inst. for Nanoscale Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA) ,  WANG Zhiming (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Univ. of ...) ,  WU Zhiming (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Univ. of ...) ,  JIANG Yadong (State Key Lab. of Electronic Thin Films and Integrated Devices, School of Optoelectronic Information, Univ. of ...) ,  SALAMO Gregory J. (Arkansas Inst. for Nanoscale Materials Sci. and Engineering, Univ. of Arkansas, Fayetteville, Arkansas 72701, USA)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 112  号： 5  ページ： 053711-053711-5  発行年： 2012年09月01日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 約10¹⁵cm^-2の高い電子シート濃度が,意図的でなくドープされバックグラウンド電子濃度約10¹⁶cm^-3を示すGaNテンプレート上に成長させた組成傾斜AlGaN膜を分極ドーピングすることによって得られる。半絶縁性(SI)で独立したGaN基板上に成長させた同様な傾斜膜は,2桁小さいキャリア濃度を示した。成長させたままの物質の輸送の温度依存性Hall効果を用いた研究によって,キャリア濃度と移動度の温度依存性がドーパントとしてSiを用いた従来のドープ膜に比べて非常に弱いことがわかった。さらに,電子移動度の定性的モデリングは,合金散乱と荷電転位散乱が全温度範囲での移動度を制限する最も重要な因子であることを示している。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *ドーピング ,  *分極 ,  *アルミニウム化合物 ,  *窒化ガリウム ,  層 ,  *ガリウム化合物 ,  *窒化物 ,  傾斜機能材料 ,  キャリア密度 ,  Hall効果 ,  温度依存性 ,  *キャリア移動度 ,  散乱 ,  基板 ,  半導体薄膜
準シソーラス用語： *傾斜層 ,  *窒化アルミニウムガリウム ,  組成傾斜 ,  転位散乱

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体と絶縁体の電気伝導一般  (BM03041P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 分極 ,  ドーピング ,  AlGaN ,  傾斜層 ,  リザーバ