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J-GLOBAL ID：201202274458572089   整理番号：12A1173157

垂直なSTT-RAMセルにおける書き込み動作中のエネルギー-遅延-信頼性トレードオフ調査のための準解析モデル

A Quasi-Analytical Model for Energy-Delay-Reliability Tradeoff Studies During Write Operations in a Perpendicular STT-RAM Cell

著者 (3件)： MUNIRA Kamaram (Univ. Virginia, VA, USA) ,  BUTLER William H. (Univ. Alabama, AL, USA) ,  GHOSH Avik W. (Univ. Virginia, VA, USA)
資料名： IEEE Transactions on Electron Devices  (IEEE Transactions on Electron Devices)
巻： 59  号： 8  ページ： 2221-2226  発行年： 2012年08月 
JST資料番号： C0222A  ISSN： 0018-9383  CODEN： IETDAI  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： その高速書き込みおよび読み出し動作,小さなセルサイズ,不揮発性,および優れた耐久性により,スピン-トランスファー-トルク-ベースランダムアクセスメモリ(STT-RAM)デバイスは,近い将来,埋め込みおよびスタンドアロンメモリ世界を支配する優れた可能性を持っている。現在のSTT-RAM産業が直面する最大の難題の1つは,与えられた電圧パルスとエネルギーコスト以内でスイッチを試みながら高い熱安定性を維持することである。本論文では,磁気トンネル接合(MTJ)においてスピン依存トンネル現象を捉えるために,修正Simmonsトンネル式を用いた物理ベース解析モデルについて述べた。Landau-Lifshitz-Gillbert式に基づく臨界スイッチング電流の解析的導出とFokker-Planck式の解から導出される書き込み誤差率を組み合わせて,このモデルは,熱揺らぎによる垂直STT-RAMデバイスにおけるエネルギー-遅延-信頼性トレードオフの迅速な予測を提供する。

シソーラス用語： *RAM【メモリ】 ,  *解析モデル ,  熱安定性 ,  トンネル接合 ,  磁気抵抗効果 ,  トンネル効果 ,  トレードオフ ,  信頼性 ,  遅れ ,  ゆらぎ
準シソーラス用語： 磁気トンネル接合 ,  MTJ ,  トンネル現象 ,  遅延 ,  熱ゆらぎ

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (7件)： セル ,  書き込み動作 ,  エネルギー ,  遅延 ,  トレードオフ ,  調査 ,  解析モデル