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J-GLOBAL ID:201202274489737906   整理番号:12A0121636

新しい開発した微分ポンピング同時スパッタリングシステムによる新しいナノ複合体膜の蒸着

Deposition of novel nanocomposite films by a newly developed differential pumping co-sputtering system
著者 (5件):
資料名:
巻: 30  号:ページ: 011502  発行年: 2012年01月 
JST資料番号: C0789B  ISSN: 0734-2101  CODEN: JVTAD6  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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組成が熱力学的制限に限定されない多機能ナノ複合体膜を制御するがフレキシブルな作製が容易になる微分ポンピング同時スパッタリングシステムを開発した。このシステムは微分ポンピングシステムによる多チャネル設計に特徴がある。この装置により雰囲気を分割してチェンバー間の相互汚染を防止し,各材料は基板を高速に回転させて同時蒸着できる。基板ホルダとチェンバーの間の間隔を1-2mmに設定し,この間隔のコンダクタンスを典型的なオリフィスに対するコンダクタンスの式を使って粗く評価した。2つのチェンバー間の空間の電位差(PD)値が0.01以下になることが分った。そのため,この間隔を通る2つのチェンバー間の気体流は実際的に分子流になるらしい。PD値,Pは圧力(Pa),Dはオリフィスあるいはパイプの直径(m),は気体流インジケータ,あるいはKnudsen数の式から得られるパラメータとなる。左チェンバー中の酸素分圧とグロー放電プラズマの変化を,各チェンバーに異なる気体を入れ,プロセス気体モニタ(PGM)と発光分光法(OES)を使って調べた。PGMの結果から,互いのチェンバーからの酸素の相互汚染は元の値の10±3%まで抑制されることが明らかになった。また,グロー放電プラズマに対するOES測定では,他のチェンバーからの実質的な酸素汚染は検出されなかった。この新しく開発したシステムを使って,B4型AlNと非晶質SiOxから成るAlN/SiOxナノ複合体膜を得ることに成功した。(翻訳著者抄録)
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分類 (2件):
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JSTが定めた文献の分類名称とコードです
半導体薄膜  ,  酸化物薄膜 

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