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J-GLOBAL ID：201202276367850976   整理番号：12A0670068

n型のシリコンナノワイヤーの電界効果トランジスタにおける巨大ピエゾ抵抗効果の証拠

Evidence for giant piezoresistance effect in n-type silicon nanowire field-effect transistors

著者 (1件)： KANG Ting-kuo (Dep. of Electronic Engineering, Cheng Shiu Univ., No. 840, Chengching Rd., Niaosong Dist., Kaohsiung City 83347, Taiwan)
資料名： Applied Physics Letters  (Applied Physics Letters)
巻： 100  号： 16  ページ： 163501-163501-3  発行年： 2012年04月16日 
JST資料番号： H0613A  ISSN： 0003-6951  CODEN： APPLAB  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： SiNW電界効果トランジスタ(SiNWFETs)とも呼ばれる,シリコンオンインシュレータのウェーハ上のn型シリコンナノワイヤー(SiNWs)における巨大ピエゾ抵抗(PZR)効果の実験的証拠を示した。バックゲートバイアスによって枯渇SiNWFETsに外部からの機械的ひずみを印加すると,サブしきい値ドレイン電流が顕著に増加することを見いだし,従って広く報告された巨大ピエゾ抵抗効果を支持した。この増加は,Si/SIO₂界面状態の変化に起因し,さらに界面トラップ誘起の巨大ピエゾ抵抗を示唆した。さらに引張と歪解放の繰り返しサイクルによる,サブしきいドレイン電流の電気化学的応答の時間依存性により,歪みゲートSiNWFETsを創製の可能性を提示した。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： N型半導体 ,  *ケイ素 ,  *ナノワイヤ ,  *FET【トランジスタ】 ,  *圧電気 ,  効果 ,  二酸化ケイ素 ,  *界面 ,  引張 ,  緩和現象 ,  サイクル ,  電流 ,  SOI構造 ,  キャリア捕獲 ,  閾値
準シソーラス用語： 巨大ピエゾ抵抗効果 ,  ひずみ解放 ,  繰り返しサイクル ,  サブしきいドレイン電流 ,  ドレイン電流 ,  歪みゲートSiNWFET ,  界面トラップ ,  サブ閾値

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコンナノワイヤー ,  電界効果トランジスタ ,  ピエゾ抵抗効果 ,  証拠