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J-GLOBAL ID：201202276475847272   整理番号：12A0871355

インジウム-亜鉛-酸化物薄膜トランジスタへのガドリニウム取り込みの効果

The Effects of Gadolinium Incorporation Into Indium-Zinc-Oxide Thin-Film Transistors

著者 (4件)： PARK Jae Chul (Yonsei Univ., Seoul, KOR) ,  KIM Sang Wook (Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR) ,  KIM Chang Jung (Samsung Advanced Inst. Technol., Yongin, KOR) ,  LEE Ho-Nyeon (Soonchunhyang Univ., Asan, KOR)
資料名： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Letters)
巻： 33  号： 6  ページ： 809-811  発行年： 2012年06月 
JST資料番号： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： インジウム-亜鉛-酸化物(IZO)を基本にもう一元素を付加した酸化物半導体薄膜トランジスタについて,新たにガドリニウム(Gd)取り込みの効果を調査した。同時スパッタリング法を用い,Gd含有量の異なるGd-IZO薄膜を形成した。Gd2.4%で作製したトランジスタで,250°Cアニーリング後に,電界効果移動度,スイッチング比がそれぞれ,6.6cm²/V・s,10⁷台の良好な性能を得た。スイッチング性能と熱安定性の良さは,安定なGd-Oイオン性結合による説明が可能である。

シソーラス用語： *薄膜トランジスタ ,  インジウム化合物 ,  亜鉛化合物 ,  金属酸化物 ,  *ガドリニウム ,  キャリア移動度 ,  熱安定性 ,  *化合物半導体
準シソーラス用語： 酸化インジウム亜鉛 ,  *酸化物半導体 ,  電界効果移動度

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： インジウム ,  亜鉛 ,  酸化物薄膜 ,  トランジスタ ,  ガドリニウム ,  取り込み