文献

J-GLOBAL ID：201202276551857495   整理番号：12A0812530

六方晶窒化ホウ素の化学蒸着

Chemical Vapor Deposition of Hexagonal Boron Nitride

著者 (2件)： SUZUKI Satoru (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., JPN) ,  HIBINO Hiroki (NTT Basic Res. Laboratories, NTT Corp., JPN)
資料名： e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web)  (e-Journal of Surface Science and Nanotechnology (Web))
巻： 10  ページ： 133-138 (J-STAGE)  発行年： 2012年 
JST資料番号： U0016A  ISSN： 1348-0391  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 多結晶Ni,Co,Cu基板で,熱化学蒸着により六方晶窒化ホウ素ナノメータ厚薄膜を成長させた。Ni基板では,より厚く,より規則性の積層膜が成長する一方,Cuでは,より小さな膜厚,より乱れた積層,より小さな領域サイズが認められた。Coでは,中間の状態が認められた。基板材料依存性では,窒素はNiに殆ど不溶性だが,グラフェン成長と同様に,基板がh-BN成長で重要な役割を果すことを示唆した。粒界は,成長温度下でホウ素や窒素原子を受入れる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *窒化ホウ素 ,  *六方晶系 ,  *熱CVD ,  *基板 ,  *金属結晶 ,  *多結晶 ,  *ニッケル ,  *コバルト ,  *銅 ,  蒸着膜 ,  膜厚 ,  積層構造 ,  依存性 ,  不溶性 ,  結晶粒界
準シソーラス用語： *熱化学蒸着 ,  *金属基板 ,  材料依存性

分類 (3件)： 気相めっき  (WC08022K) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  薄膜成長技術・装置  (BK14020I)

タイトルに関連する用語 (2件)： 六方晶窒化ホウ素 ,  化学蒸着