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J-GLOBAL ID：201202276597880190   整理番号：12A1006043

4H-SiCにおける室温でのナノ押込み試験後に核形成される転位の解析

Analysis of Dislocations Nucleated after Nano Indentation Tests at Room Temperature in 4H-SiC

著者 (4件)： DEMENET J.-L. (Univ. Poitiers, Chasseneuil Futuroscope) ,  AMER M. (Univ. Poitiers, Chasseneuil Futuroscope) ,  TROMAS C. (Univ. Poitiers, Chasseneuil Futuroscope) ,  RABIER J. (Univ. Poitiers, Chasseneuil Futuroscope)
資料名： Materials Science Forum  (Materials Science Forum)
巻： 717/720  号： Pt.1  ページ： 339-342  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0716B  ISSN： 0255-5476  資料種別： 逐次刊行物 (A)
発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

タイトルに関連する用語 (6件)： 4H-SiC ,  室温 ,  押込み試験 ,  核形成 ,  転位 ,  解析