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J-GLOBAL ID：201202276646842908   整理番号：12A0546395

4H-SiC JBSダイオードの漏れ電流

Leakage currents in 4H-SiC JBS diodes

著者 (8件)： IVANOV P. A. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  GREKHOV I. V. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  POTAPOV A. S. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  KON’KOV O. I. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  IL’INSKAYA N. D. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  SAMSONOVA T. P. (Russian Acad. of Sciences, Ioffe Physical Technical Inst., 194021, St. Petersburg, RUS) ,  KOROL’KOV O. (Tallinn Univ. of Technol., Dep. of Electronics, Tallinn, Estonia) ,  SLEPTSUK N. (Tallinn Univ. of Technol., Dep. of Electronics, Tallinn, Estonia)
資料名： Semiconductors  (Semiconductors)
巻： 46  号： 3  ページ： 397-400  発行年： 2012年03月 
JST資料番号： T0093A  ISSN： 1063-7826  CODEN： SMICES  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 集積(p-n)Schottky構造(接合障壁Schottky,JBS)を持つ4H-SiC高電圧用ダイオード中の漏れ電流を,市販のダイオードと特に製造した(市販エピタキシャル材料をベース)試験用Schottkyダイオードで,JBS構造を持つものと持たないものについて調べた。(i)逆電荷輸送において主な役を演じるのはSiC結晶の格子欠陥であるが,おそらく貫通転位(密度10⁴cm^-2)であるらしい,および(ii)ホウ素の注入で形成したJBS構造は,漏れ電流を部分的に抑制する(最適の離隔である局所p型領域間が8μmにおいて最大十分の一とする)ことを示した。Copyright 2012 Pleiades Publishing, Ltd. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  *Schottky障壁ダイオード ,  *漏れ電流 ,  エピタクシー ,  *貫通転位 ,  ホウ素 ,  イオン注入

分類 (2件)： 半導体-金属接触  (BM03084G) ,  ダイオード  (NC03050R)

タイトルに関連する用語 (3件)： 4H-SiC ,  ダイオード ,  漏れ電流