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J-GLOBAL ID：201202276667053903   整理番号：12A1191014

室温におけるAr+H₂雰囲気中のRFスパッタリングによるAZO膜の厚み研究

Thickness study of AZO films by RF sputtering in Ar+H₂ atmosphere at room temperature

著者 (6件)： ZHU B. L. (Wuhan Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  WANG J. (Wuhan Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  ZHU S. J. (Wuhan Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  WU J. (Wuhan Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  ZENG D. W. (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN) ,  XIE C. S. (Huazhong Univ. Sci. and Technol., Wuhan, CHN)
資料名： Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science  (Physica Status Solidi. A. Applications and Materials Science)
巻： 209  号： 7  ページ： 1251-1258  発行年： 2012年07月 
JST資料番号： D0774A  ISSN： 1862-6300  CODEN： PSSABA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Ar+5%H₂雰囲気中のRFスパッタリングによりAlドープZnO(AZO)膜をガラス基板上に作製した。膜厚(85~1101nm)が増すと共に,結晶度が改善し,表面粗さが増大した。電気抵抗率の低下はキャリア密度と移動度の増大を伴った。厚み803nmの膜の電気抵抗率は3.13×10^-4Ωcm,シート抵抗は3.90Ω/sq,可視領域の平均光透過率は80%であった。膜厚と共に光学バンドギャップは3.50eVから3.72eVへ広がった。この膜は薄膜太陽電池の透明導電電極層として適する。

シソーラス用語： RFスパッタリング ,  *薄膜成長 ,  依存性 ,  表面粗さ ,  電気抵抗率 ,  キャリア密度 ,  *透明導電膜 ,  *酸化亜鉛 ,  半導体材料 ,  ドーピング ,  半導体薄膜 ,  結晶度 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 膜厚依存性

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： 室温 ,  雰囲気 ,  RFスパッタリング ,  Azo ,  厚み ,  研究