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J-GLOBAL ID：201202276768907903   整理番号：12A0230493

イオンビームスパッタリング堆積によって成長させた自己集合Ge/Si島の成長

Evolution of self-assembled Ge/Si island grown by ion beam sputtering deposition

著者 (7件)： YANG Jie (Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN) ,  YANG Jie (Fac. of Metallurgical and Energy Engineering, Kunming Univ. of Sci. and Technol., Kunming 650093, CHN) ,  JIN Yingxia (Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN) ,  WANG Chong (Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN) ,  LI Liang (Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN) ,  TAO Dongping (Fac. of Metallurgical and Energy Engineering, Kunming Univ. of Sci. and Technol., Kunming 650093, CHN) ,  YANG Yu (Inst. of Optoelectronic Information Material, Yunnan Univ., Kunming 650091, CHN)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 258  号： 8  ページ： 3637-3642  発行年： 2012年02月01日 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： イオンビームスパッタリング堆積によって成長させた自己集合Ge/Si島の発展に及ぼす温度とGe被覆率の効果を研究した。原子間力顕微鏡とRaman分光を用いて,島のモルフォロジーとSiとGeの間の相互混合を解析した。実験は2つの様相からなる。第1は,温度が上昇した時,相互混合は助長され,低アスペクト比の島が再出現する。第2は,短い島が初期には11:1(直径:高さ)の一定比に沿って成長せず,島はつねに垂直方向により早く成長するという異なる成長経路が観測される。結局,相互拡散,表面拡散,Ge量によってGe/Si島の発展が決まった。Copyright 2012 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.

シソーラス用語： *イオンビームスパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  *自己集合 ,  *ゲルマニウム ,  被覆率 ,  *ケイ素 ,  *島状構造 ,  相互拡散 ,  アスペクト比 ,  半導体薄膜

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (6件)： イオンビームスパッタリング ,  堆積 ,  成長 ,  自己集合 ,  Ge ,  Si