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J-GLOBAL ID：201202277023644184   整理番号：12A0527963

次世代相変化メモリへの応用のためのカルコゲナイドへのN-ドーピングによる結晶成長抑制

Crystal Growth Suppression by N-Doping into Chalcogenide for Application to Next-Generation Phase Change Memory

著者 (2件)： YIN You (Gunma Univ., Gunma, JPN) ,  HOSAKA Sumio (Gunma Univ., Gunma, JPN)
資料名： Key Engineering Materials  (Key Engineering Materials)
巻： 497  ページ： 101-105  発行年： 2012年 
JST資料番号： D0744C  ISSN： 1013-9826  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 次世代不揮発相変化メモリへの応用のためのカルコゲナイドGe₂Sb₂Te₅(GST)の結晶化をN-ドーピングにより制御する実験的研究を行った。実験は厚さ200nmのGSTを種々のN₂濃度のN₂/Ar気流中で加熱アニールすることにより,種々の濃度の窒素をドープした試料(N-GST)を調製し,N-GST試料の結晶構造変化およびモルフォロジー変化を調べた。結晶学的キャラクタリゼーションはX線回折により行い,モルフォロジー変化は光学顕微鏡観察により行った。また,これらの試料を350°Cまで加熱しながら電気抵抗測定を行った。測定結果はGSTは140°Cで電気抵抗が急激に減少し,その後温度上昇と共に徐々に減少するが,N-GSTの電気抵抗は温度上昇に伴い徐々に減少することを示した。また,電気抵抗の変化幅も大きくなることを示している。これらの実験データよりN-ドーピングにより結晶成長が抑制され,これはマルチレベルメモリストレージを容易化するものであることを結論した。

シソーラス用語： *不揮発性メモリ ,  *カルコゲン化物 ,  *ゲルマニウム化合物 ,  アンチモン化物 ,  テルル化物 ,  *ドーピング ,  窒素 ,  熱処理 ,  アルゴン ,  混合気体 ,  形態 ,  *結晶化 ,  X線回折 ,  光学顕微鏡法 ,  *電気抵抗 ,  温度依存性 ,  記憶素子
準シソーラス用語： *次世代相変化メモリ ,  マルチレベルメモリ素子

分類 (1件)： 電子・磁気・光学記録  (NC06020F)

タイトルに関連する用語 (6件)： 次世代 ,  相変化メモリ ,  応用 ,  カルコゲナイド ,  ドーピング ,  結晶成長