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J-GLOBAL ID：201202277124026090   整理番号：12A0955266

窒化ガリウムダイオードの特性に及ぼすトラップ支援トンネル効果のシミュレーション

Simulation of trap-assisted tunneling effect on characteristics of gallium nitride diodes

著者 (5件)： SAKOWSKI Konrad (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  MARCINKOWSKI Leszek (Dep. of Mathematics, Computer Sci. and Mechanics, Warsaw Univ., ul. Banacha 2, 02-097 Warsaw, POL) ,  KRUKOWSKI Stanislaw (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  GRZANKA Szymon (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL) ,  LITWIN-STASZEWSKA Elzbieta (Inst. of High Pressure Physics, Polish Acad. of Sciences, ul. Sokolowska 29/37, 01-142 Warsaw, POL)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 111  号： 12  ページ： 123115-123115-7  発行年： 2012年06月15日 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,マグネシウムおよびケイ素ドープ窒化ガリウムダイオードのI-V特性とバンド構造のシミュレーションについて報告した。数値アルゴリズムは,van Roosbroeck微分方程式系を含むドリフト拡散半古典モデルに基づいた。このモデルはトラップ支援トンネル効果を説明した,そしてこれによってpn接合の低バイアス領域でのI-V特性の予測と実験との一致はさらに良くなった。著者らは,素子の一次元シミュレーションを行った。そして,この結果を標準的ドリフト拡散モデルから求めた結果と比較した。その結果,トラップ支援トンネル効果を考慮すると,実験データとよく一致するようになることが分かった。著者らはまた,高ドープpn接合では,所定の効果により無放射再結合速度が著しく増加することを明らかにした。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： 数値解析 ,  *シミュレーション ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  ガリウム化合物 ,  マグネシウム ,  ケイ素 ,  ドーピング ,  濃度 ,  PN接合 ,  *トンネルダイオード ,  トンネル効果 ,  電流電圧特性 ,  バンド構造 ,  微分方程式 ,  ドリフト ,  拡散 ,  モデル ,  無放射遷移 ,  再結合 ,  速度 ,  ドナー ,  アクセプタ ,  捕獲 ,  測定データ ,  比較 ,  発光ダイオード ,  半導体レーザ ,  半導体素子
準シソーラス用語： ワイドバンドギャップ半導体 ,  *数値シミュレーション

分類 (1件)： 半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (6件)： 窒化ガリウム ,  ダイオード ,  トラップ ,  支援 ,  トンネル効果 ,  シミュレーション